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SI4226DY-T1-E3 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI4226DY-T1-E3参数 产品类别：分离式半导体产品-FET - 阵列 说明：MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC 包装数量：2500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：25V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：19.5 毫欧 @ 7A，4.5V Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：36nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：1255pF @ 15V 功率 - 最大：3.2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： PMIC - 稳压FAN5233MTCX 测试探头尖A037 模块AW-30FT 选择器A22W-2AR-24A-10 适配器AE-P44-T51CC-Z 光学 - 光电检测GP1UE261RK0F 处理剂，清洁剂，擦2001 薄膜电容器B25620B158K882 Card EdgeRSM25DRUN 卡架 - 配件AC400-84-1 |
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